陶瓷金属化

超导绝缘接触耐高温环保氮化铝陶瓷散热片导热系数320K 。氮化铝双面渡铜,氮化铝导热陶瓷 有着良好的导热性能广泛应用于: 薄膜金属化基板广泛应用于混合集成电路互连基板、微波器件、光电通信、传感器、MCM等领域。订购电话:0755-89814655
   非标订做制冷片 ,散热片
氮化铝导热陶瓷 有着良好的导热性能广泛应用于: 薄膜金属化基板广泛应用于混合集成电路互连基板、微波器件、光电通信、传感器、MCM等领域。包括光电器件基板、陶瓷载体、激光器载体、片式电容、片式功率分配器、传感器、叉指电容和螺旋电感等

AIN氮化铝,晶体以〔AIN4〕四面体为结构单元共价键化合物,具有纤锌矿型结构,属六方晶系。化学组成 AI 65.81%,N 34.19%,比重3.261g/cm3,白色或灰白色,单晶无色透明,常压下的升华分解温度为2450℃。为一种高温耐热材料。热膨胀系数(4.0-6.0)X10(-6)/℃。多晶AIN热导率达260W/(m.k),比氧化铝高5-8倍,所以耐热冲击好,能耐2200℃的极热。此外,氮化铝具有不受铝液和其它熔融金属及砷化镓侵蚀的特性,特别是对熔融铝液具有极好的耐侵蚀性。

性能指标

Ø(1)热导率高(约320W/m·K),接近BeO和SiC,是Al2O3的5倍以上;

Ø(2)热膨胀系数(4.5×10-6℃)与Si(3.5-4×10-6℃)和GaAs(6×10-6℃)匹配;

Ø(3)各种电性能(介电常数、介质损耗、体电阻率、介电强度)优良;

Ø(4)机械性能好,抗折强度高于Al2O3和BeO陶瓷,可以常压烧结;

Ø(5)光传输特性好;

Ø(6)无毒;

AlN陶瓷基片主要性能指标

性能内容

性能指标

热导率(W/m·k)

≥170

体积电阻率(Ω·cm)

>1013

介电常数[1MHz,25℃]

9

介电损耗[1MHz,25℃]

3.8х10-4

抗电强度(KV/mm)

17

体积密度(g/cm3)

≥3.30

表面粗糙度Ra(μm)

0.3~0.5

热膨胀系数[20℃ to 300℃](10-6/℃)

4.6

抗弯强度(MPa)

320~330

弹性模量(GPa)

310~320

莫氏硬度

8

吸水率(%)

0

翘曲度(~/25(长度))

0.03~0.05

熔点

2500

外观/颜色

灰白色

注:1.表面光洁度经抛光处理后,Ra≤0.1μm;

2.产品各向尺寸精度通过激光划线保证,最小值±0.10mm;

3.特殊规格产品可按客户要求定制生产。

 

 

  氮化铝陶瓷片(也叫薄膜金属化基板)广泛应用于混合集成电路互连基板、微波器件、光电通信、传感器、MCM等领域。包括光电器件基板、陶瓷载体、激光器载体、片式电容、片式功率分配器、传感器、叉指电容和螺旋电感等。

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